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口頭

トカマクにおける帯状流の振舞いと乱流輸送

宮戸 直亮

no journal, , 

イオン温度勾配(ITG)駆動乱流などのドリフト波乱流と乱流から非線形的に生成される帯状流は核融合プラズマにおける異常輸送に重要な役割を果たしていると考えられている。帯状流は乱流を抑える働きがあるが、トカマクなどのトーラスプラズマでは、時間的に変化しない静的な帯状流と、Geodesic Acoustic Mode(GAM)と呼ばれる時間的に振動する帯状流の2種類が現れうる。静的帯状流は効果的に乱流を抑制する一方、GAMの乱流抑制効果は静的帯状流に比べると弱い。正磁気シア及び反転磁気シアでのITG乱流のグローバルシミュレーションを行い、静的帯状流とGAMの両方が現れる状況で、帯状流の性質変化が乱流輸送に及ぼす影響と内部輸送障壁形成との関係を議論する。また、GAMの非局所的振る舞いと乱流輸送とのかかわりについても報告する。

口頭

JT-60Uにおける低中心粒子供給時の密度分布

竹永 秀信; 浦野 創; 田中 謙治*

no journal, , 

JT-60UのELMy Hモード及び負磁気シアプラズマにおいて、中心粒子供給の密度分布への影響を調べた。粒子供給が少ない負イオン源中性粒子ビーム(N-NB)加熱と粒子供給がない電子サイクロトロン波(EC)加熱主体時の密度分布を、粒子供給がある正イオン源中性粒子ビーム(P-NB)加熱時と比較した。ELMy Hモードプラズマでは、規格化半径r/a=0.2と0.8での密度の比で密度ピーキング度を定義し、その実効的衝突周波数依存性を調べた。ここで、実効的衝突周波数は電子-イオン間衝突周波数と湾曲ドリフト周波数の比であり、イオン温度勾配モードや捕捉電子モード等の乱流揺動成長率の指標である。P-NB加熱時には、実効的衝突周波数が小さいほど、密度ピーキング度は増加した。N-NBとEC加熱主体時にもピークした密度分布が観測されており、ピーキング度はP-NB加熱時と同程度であった。一方、負磁気シアプラズマでは、プラズマ電流立ち上げ時の加熱をN-NBとEC加熱主体とした場合でも、イオン温度と密度に内部輸送障壁が形成された。立ち上げ時の加熱をP-NBとした場合と比較すると、粒子供給分布は異なるが密度分布はほぼ同じであった。これらの結果により、中心粒子補給の密度分布への影響は小さいことを明らかにした。

口頭

JT-60UにおけるHモード周辺ペデスタル構造に対するトロイダル回転と磁場リップルの影響

浦野 創; 大山 直幸; 神谷 健作; 小出 芳彦; 竹永 秀信; 滝塚 知典; 吉田 麻衣子; 鎌田 裕; 相羽 信行; 小関 隆久

no journal, , 

JT-60Uでのフェライト鋼装着によるトロイダル磁場リップル低減に伴ってペデスタル圧力及びエネルギー閉じ込め性能が向上した。特に大体積配位におけるNBの順方向入射時には、フェライト鋼によりトロイダル回転分布の逆方向成分が減少し、ペデスタル圧力が増加した。このときELM周波数は減少し、ELMエネルギーロスは増加した。ペデスタル圧力の増加には、ペデスタル幅の増加を伴うことがわかった。順方向のトロイダル回転の増加及びトロイダル磁場リップルの低下に伴ってエネルギー閉じ込め性能が向上することがわかった。

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